Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.

Нет оценок

Купил 1 человек

Кол-во стр.
800
Вес
1200 г
Год издания
2011
Издательство
Техносфера

Отзывы

Описание и характеристики

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.

Кол-во стр.
800
Вес
1200 г
Год издания
2011
Издательство
Техносфера
Размеры в см
3.5x17.6x24.7
ID товара
2623840
ISBN
978-5-94836-289-2

Книга «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.» есть в наличии в интернет-магазине «Читай-город» по привлекательной цене. Если вы находитесь в Москве, Санкт-Петербурге, Нижнем Новгороде, Казани, Екатеринбурге, Ростове-на-Дону или любом другом регионе России, вы можете оформить заказ на книгу «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.» и выбрать удобный способ его получения: самовывоз, доставка курьером или отправка почтой. Чтобы покупать книги вам было ещё приятнее, мы регулярно проводим акции и конкурсы.